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    Ein Verfahren und ein System zur Ausführung eines Prozesses zum reaktiven Ionenätzen (RIE-Prozesses) eines Metalls werden offenbart. Der RIE-Prozess für das Metall umfasst wenigstens drei Schritte: einen RIE-Schritt für das Metall, einen Abtragungsschritt und einen Nassreinigungsschritt. Der RIE-Schritt für das Metall und der Abtragungsschritt werden in einer Hauptreaktionskammer durchgeführt.
    公开号:DE102004017526A1
    申请号:DE200410017526
    申请日:2004-04-08
    公开日:2004-11-25
    发明作者:Matthias Lipinski；George Stojakovic
    申请人:Infineon Technologies AG；
    IPC主号:H01L21-02
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf Verfahrenund Systeme zum Ätzen einerMetallschicht als Teil eines Herstellungsprozesses für ein Halbleiterbauelementund insbesondere auf ein Verfahren und System zur Entfernung derunerwünschtenRückstände, diebei einem Prozess des Ätzensvon Metall mit reaktiven Ionen (RIE-Prozess) produziert werden.
    [0002] Beider Fertigung von integrierten Halbleiterschaltungen wird gewöhnlich aufeinem Wafer, auf dem eine Anzahl von Halbleiterbauelementen ausgebildetsind, ein Prozess zur Ausbildung von Metallleitungen durchgeführt, umLeiterbahnen zwischen den Elementen auszubilden. Eine Metallschichtwird typischerweise ganzflächigauf der Oberflächedes Wafers abgeschieden. Unter Verwendung einer geeigneten Photoresistmaskewerden dann Teile der Metallschicht weggeätzt, was Metallleitungen und -strukturelementezurücklässt. Amhäufigstenwird im Allgemeinen Aluminium (A1) oder eine Aluminiumlegierungin der Metallurgie von Verbindungen in integrierten Schaltungeneingesetzt. Zur Vereinfachung wird in der nachstehenden BeschreibungA1 verwendet, um Metallleitungen zu repräsentieren.
    [0003] Mitzunehmender Dichte der integrierten Schaltungen verkleinert sichdie Breite der Metallleitungen und der Abstand zwischen ihnen entsprechend.Als Reaktion auf das Verkleinern der integrierten Schaltungen sindeine Vielzahl an Verfahren entwickelt worden, um Metallleitungengeeignet zu ätzen.In Zusammenhang mit den Ätzverfahren,die verbessert worden sind, um beim Ätzen ein besseres Ergebniszu erzielen, sind auch eine Reihe von Methoden entwickelt worden,um Metallleitungen auf dem Wafer zu strukturieren.
    [0004] Inder Vergangenheit wurde das Strukturieren der Metallleitungen durchein Photolithographieverfahren ausgeführt. Wenn die Leitungsbreiten,die strukturiert werden, reduziert werden, wird es jedoch schwierig,dünne Strukturenunter Verwendung von herkömmlichemStrukturieren mit Photoresist herzustellen, da die Effekte der Lichtreflexionvon einer Metallschicht unter der Photoresistschicht in dem Verhältnis wiedie Leitungsbreite reduziert wird, dramatisch zunehmen. Um die Effekteder Lichtreflexion zu reduzieren, besteht daher eine neue Vorgehensweisezur Strukturierung von Metallleitungen darin, eine Antireflexschichtauf die Photoresistschicht vor der Bildung der Strukturen im Photoresistmittels Photolithographie aufzubringen. Das Verfahren des Beschichtensmit einer Antireflexionsschicht bietet viele Vorteile für Anwendungenin der Mikrolithographie, einschließlich einer Reduktion von Stehwellen, Reduktionvon Reflexionseinbrüchen,Elimination des von einem unregelmäßigen Substrat zurückgestreutenLichts und neuerdings Eliminierung von Substratchemikalien, diemit einem chemisch verstärktenPhotoresistsystem wechselwirken.
    [0005] Die 1A bis 1C sind Querschnittsansichten, die einenStrukturierungsprozess der Al-Schicht zeigen, wobei die 1A und 1B die Strukturierung der Photoresistschichtauf der Al-Schicht durch Anwenden einer Herangehensweise unter Verwendung einerAntireflexionsschicht, wie unten beschrieben, veranschaulichen.Die 1C veranschaulicht,dass Metallleitungen durch einen Prozess zum Ätzen von Metall gebildet werden.Die Metallleitungen werden entsprechend den Photoresiststrukturenstrukturiert wie in den 1A und 1B dargestellt.
    [0006] Inder 1A wird eine Metallschicht 12,wie zum Beispiel A1, auf einer isolierenden Schicht 11, diedie Oberflächeeines Wafers 10 bedeckt, abgeschieden. Als nächstes wirdeine Antireflexschicht (ARC) 13 auf der Al-Schicht 12 zumBeispiel durch einen plasmaunterstützten Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung(PECVD-Prozess) gebildet. Eine Photoresistschicht 14 wirddann auf die ARC 13 aufgebracht. Während des Photolithographieprozessesfällt Licht 16 auseiner Lichtquelle (nicht gezeigt) durch die transparenten Bereiche 17 einerMaske 15, um ausgewählteTeile der Photoresistschicht 14 zu belichten.
    [0007] Wiein 1B gezeigt, werdennach der Belichtung Photoresiststrukturen 18 des Photoresists 14 gebildet.Wie oben beschrieben, werden aufgrund der Vorteile der ARC 13 diePhotoresiststrukturen 18 gut ausgebildet. Der Wafer wirddann zur Durchführungdes Aufätzensder ARC und des Ätzensvon Al-Leitungen in eine Al-RIE-Kammer transferiert. Das Aufätzen derARC kann alternativ in einer separaten Plasmakammer durchgeführt werden.Nachdem das Aufätzender ARC beendet ist, wird der Wafer dann zum Ätzen der Al-Schicht in dieAl-RIE-Kammer transferiert. Nach dem Ätzen von Al-Leitungen sindin beiden FällenAl-Leitungen auf einem Substrat des Wafers ausgebildet, wie in 1C gezeigt.
    [0008] Typischerweiseumfassen die Verfahren, die zum Ätzenvon Metall verwendet werden, Nassätzen und trockenes Plasmaätzen. Nassätzprozessesind jedoch im Allgemeinen zur Definition von Strukturen von wenigerals 3 μmaufgrund ihres isotropen Charakters nicht geeignet. Daher sind nassePlasmaätzprozessezur Ausbildung von Al-Leitungen für moderne Halbleiteranwendungennicht praktikabel. Trockene Plasmaätzprozesse werden als einebessere Wahl angesehen und insbesondere glaubt man, dass Prozessefür reaktivesIonenätzen(RIE-Prozesse) die Anforderungen an moderne Halbleiterbauelementeam besten erfüllen.Im Allgemeinen umfassen RIE-Prozesse drei grundlegende Schritte:einen Al-RIE-Schritt, einen Abtragungsschritt und einen Nassreinigungsschritt.Die drei Schritte werden gewöhnlichin einem Al-RIE-Gerät,das als nächstesunter Bezugnahme auf 2 beschriebenwird, durchgeführt.
    [0009] 2 ist eine teilweise schematischeDarstellung eines Al-RIE-Gerätes 10.Wie gezeigt, umfasst das Al-RIE-Gerät 10 eine Hauptreaktionskammer 20 zurAusführungdes Al-RIE-Schritts, eine zweite Kammer 30 zum Abtragender Resistmaterialien und Rückstände, diebei dem Al-RIE-Schritt als Nebenprodukt produziert werden, und einedritte Kammer 40 zur Ausführung des Nassreinigungsschritts.Wie gezeigt, sind diese drei Kammern in einer spezifischen Reihenfolgemiteinander verbunden und werden durch Bedienung der Schleusen 120 und 140 miteinanderin Verbindung gebracht. Die zweite Kammer 30 ist zum Beispielan die Hauptreaktionskammer 20 über die Schleuse 120 angeschlossen, diewiederum an die dritte Kammer 40 anhand der Schleuse 140 angeschlossenist. Die Schleusen 120 und 140 sind offen, wennein Wafer aus der Hauptreaktionskammer 20 in die zweiteKammer 30 beziehungsweise von der zweiten Kammer 30 indie dritte Kammer 40 transferiert wird.
    [0010] Nachdemdie Photoresiststrukturen zum Beispiel durch das in den 1A und 1B beschriebene Verfahren hergestelltwurden, wird ein Wafer zunächstin die Hauptreaktionskammer 20 zum Ätzen der ARC-Schicht 13 undder Al-Schicht 12 transferiert. Wie in 2 gezeigt, werden die Prozessgase 205 durchein Einlassrohr 207 in die Reaktionskammer 20 eingeführt. DieMenge der Gase 205, die in die Kammer 20 strömen, wirddurch ein Ventil 209 geregelt. Im Innern der Reaktionskammer 20 istein Plasmareaktor zur Verarbeitung der Prozessgase 205 zuPlasma 221 bereitgestellt. Der in 2 gezeigte beispielhafte Reaktor für die Reaktionist ein induktiv gekoppelter Plasmareaktor (ICP-Reaktor, ICP = inductivelycoupled plasma). Der ICP-Plasmareaktor umfasst eine elektrostatischeKlemmvorrichtung/ein elektrostatisches Futter (ESC = electrostatic chuck) 21 zurAufnahme eines Wafers 50, der, wie mit Bezug auf die 1A und 1B beschrieben, Photoresiststrukturenauf der Oberflächeenthält.Der Plasmareaktor umfasst weiterhin eine Spule 22, die außerhalbeiner dielektrischen Platte 23 gewickelt ist. Die Spule 22 unddas ESC 21 bilden eine erste Elektrode beziehungsweisezweite Elektrode aus, so dass das Reaktionsplasma 221 zwischenden zwei Elektroden erzeugt wird. Die Kammer 20 umfasst weiterhineine Vakuumpumpe 223, um den Druck innerhalb der Kammer 20 soniedrig wie möglichzu halten, zum Beispiel 3 mTorr. Der niedrige Druck in der Kammer 20 hilft,die Möglichkeitfür dieBildung von Feuchtigkeit in der Kammer 20 zu vermindern.
    [0011] Während desAl-RIE-Schritts könneneine obere Versorgungsleistung 217 und eine Bias-Versorgungsleistung 219 derSpule 22 beziehungsweise dem ESC 21 zugeführt werden.Die obere Versorgungsleistung 217 kann im Allgemeinen eineKonzentration an reaktiven Ionen im Plasma 221 bestimmenund die Bias- Versorgungsleistung 219 kanndie Energie der reaktiven Ionen beim Auftreffen auf den Wafer 50,bestimmen. Die reaktiven Ionen des Plasmas 221 reagierenfolglich mit Teilen der Al-Schicht aufdem Wafer 50, die nicht mit Photoresiststrukturen bedecktsind. Die Al-Schicht auf diesen Teilen wird entsprechend weggeätzt. Folglichwerden, wie in 1C gezeigt,Al-Leitungen 25 ausgebildet.
    [0012] Das Ätzen deraluminiumhaltigen Metallschicht wird herkömmlicherweise in der Reaktionskammerdurch die Verwendung von Ausgangsgasen für das Ätzen, wie zum Beispiel Cl2/BCl3, Cl2/HCl, Cl2/N2 und desgleichen, erreicht. Bei diesen Gasen sinddie chemischen Stoffe, die als hauptsächliche Ätzmittel zu dem RIE-Prozessbeitragen, Chlorradikale (Cl), da die Chlorradikale spontan entstehenund die Ätzreaktionschnell auslösen.Die Chlorradikale bewirken jedoch, dass nach dem RIE-Prozess auf demPhotoresist und den Seitenwändender Aluminiumleitungen Polymere ausgebildet sind. Die Polymere enthaltenorganische Materialien, die währenddes Al-RIE-Schrittswieder abgeschieden worden sind, und eine nicht unbedeutende Mengean Chlor und/oder chlorhaltigen Verbindungen aus den Ausgangsgasenfür das Ätzen. DiePolymere sind in 1C mitdem Bezugszeichen 19 dargestellt. Wie im Fachgebiet bekanntist, bewirken das Chlor und/oder die chlorhaltigen Verbindungeneine Korrosion der Aluminiumleitungen, sobald sie mit der O2/H2O-haltigen Atmosphäre in Berührung kommen. Umdie Korrosion zu vermeiden, werden daher diese Chlorverbindungenerstens durch Abtragen des Polymers und der Resistmaterialien, einschließlich ARC 13 undPhotoresist 14 (die in der nachstehenden Beschreibung als "Resistmaterialien" bezeichnet werden)in einem Plasma in der zweiten Kammer 30 und zweitens durchAnwenden einer Nassreinigung in der dritten Kammer 40 entfernt.
    [0013] DieBeschreibung des nachfolgenden Abtragungsschrittes und des Nassreinigungsschritteswird jetzt mit Bezug auf 3,bei der es sich um ein Flussdiagramm eines herkömmlichen Al-RIE-Prozesses handelt, beschrieben.
    [0014] DieSchritte 301 bis 303 beschreiben das Abscheideneiner Metallschicht auf einem Substrat eines Halbleiterwafers, dasAbscheiden einer ARC auf der Metallschicht, das Abscheiden einerPhotoresistschicht beziehungsweise das Ausbilden von Photoresiststrukturen,wie oben unter Bezugnahme auf die 1A und 1B beschrieben. Als nächstes wirdin Schritt 304 der Wafer mit den Photoresiststrukturen für den RIE-Schrittin die Hauptreaktionskammer 20 transferiert. Wie oben beschrieben,ist das chemische Material, das zum Ätzen der Metallschicht in demAl-RIE-Schritt verwendet wird, insbesondere ein auf Cl basierendesGas.
    [0015] Wieoben erwähnt,bilden sich währendund nach dem RIE-Prozessaus Cl-haltigen Rückständen zusammengesetztePolymere an den Seitenwänden derMetallleitungen aus, die durch den RIE-Prozess ausgebildet sind.Die Polymere enthalten Chlor und Chlorverbindungen, die die Metallleitungenkorrodieren.
    [0016] InSchritt 305 werden diese chlorhaltigen Stoffe herkömmlicherweisedurch erstens Abtragen der verbleibenden Resistmaterialien (wiezum Beispiel die verbleibende ARC-Schicht und das Photoresist) inder zweiten Kammer 30, die an die Haupreaktionskammer 20 angeschlossenist, entfernt. Gewöhnlichwird ein trockener Prozess der Veraschung unter Bedingungen derPlasmaunterstützungverwendet, wobei in dem Plasma erzeugte Sauerstoffradikale und -ionenmit in den Resistmaterialien enthaltenem organischen Material reagieren.Wie in 2 veranschaulicht,umfasst die zweite Kammer 30 einen Gaseinlass 301,um Gase zum Abtragen der Resistmaterialien und des Polymers in dieKammer 30 einzubringen. Der Schritt des Entfernens derResistmaterialien und des Polymers kann herkömmlicherweise nach wenigstenszwei Verfahren ausgeführt werden.Das erste Verfahren umfasst einen Prozess der Veraschung unter Verwendungeiner Gasmischung, die ein Fluor-Gas (F-Gas) und O2-Gasenthält,um die Resistmaterialien und Polymere zu entfernen. Das zweite Verfahrenführt denProzess der Veraschung unter Verwendung eines Plasmas einer Gasmischung,die Wasserstoff und Sauerstoff enthält (ein H- und O-haltiges Gas),wie zum Beispiel CH3OH und ein O2-Gas, aus. Beide Abtragungssverfahren werdenin der zweiten Kammer 30 durchgeführt.
    [0017] InSchritt 306 wird der Wafer nach dem Abtragen der Resistmaterialienund Polymere in eine dritte Kammer 40 zur Nassreinigungtransferiert. Nach dem Nassreinigungsschritt wird der Wafer mit Hilfeeines Schleudertrockners getrocknet. Zu diesem Zeitpunkt ist dieEntfernung der Chlorrückstände abgeschlossen.
    [0018] Deroben beschriebene Prozess ist fürdie Verwendung mit Al-RIE-Geräten, diegewöhnlichzur Durchführungeines RIE-Prozessesgenutzt worden sind, ausgelegt. Solche Al-RIE-Gerätewerden oft von LAM Research, einem führenden Hersteller, hergestelltund sind dafürausgelegt, den RIE-Schritt, den Abtragungsschritt und den Nassreinigungsschritt indrei separaten Kammern auszuführen.Aufgrund dieser Auslegung müssendie Hersteller von Halbleiterbauelementen ein Al-RIE-Gerät kaufen,das einen Aufbau mit allen drei Kammern aufweist. Darüber hinaussind die Prozessdauern fürden Al-RIE-Schritt undden Abtragungsschritt unterschiedlich. Gewöhnlich dauert die Ausführung desAbtragungsschrittes längerals die des Al-RIE-Schrittes. Daher kann ein Wafer, an dem ein Al-RIE-Schritt abgeschlossenist, nicht in die Abtragungskammer transferiert werden, bis derAbtragungsprozess füreinen vorhergehenden Wafer abgeschlossen ist. Während dieser Zeit bleibt dieHauptkammer ungenutzt und kann nicht für den Arbeitsgang verwendetwerden, fürden sie vorgesehen ist.
    [0019] Darüber hinausist der Druck, der in der RIE-Kammer erforderlich ist, bei weitemniedriger als der, der in der Abtragungskammer erforderlich ist.Mit ansteigendem Druck in der Abtragungskammer nimmt die in derKammer gebildete Konzentration von Wasser (d.h. Feuchtigkeit) zu.Daher besteht in der separaten Abtragungskammer immer eine größere Möglichkeit,dass Sauerstoff oder H2O mit den chlorhaltigenRückständen reagierenkann, als in der Hauptkammer. Daher kann eine Korrosion der Al-Leitungennicht völligvermieden werden.
    [0020] EinVerfahren und ein System zur Verbesserung des oben erwähnten Prozessessind daher wünschenswert.
    [0021] Dievorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Ausführen vonAl-RIE und zum Durchführen vonAbtragungsschritten in einer Hauptkammer bereit, wodurch die Kostender RIE-Gerätereduziert werden.
    [0022] Gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren zur Ausführung einesAl-RIE-Prozesses das reaktive Ionenätzen einer auf einem Halbleiterwafergebildeten Metallschicht in einer Hauptreaktionskammer. Teile der Metallschichtsind mit Photoresiststrukturen bedeckt, so dass nach dem reaktivenIonenätzenMetallleitungen auf dem Wafer ausgebildet sind und während des Ätzens erzeugteRückstände vonNebenprodukten auf den Photoresiststrukturen und Seitenwänden derMetallleitungen ausgebildet sind. Das Verfahren umfasst den zusätzlichenSchritt des Abtragens der Photoresiststrukturen und der Rückstände vonNebenprodukten in der Hauptreaktionskammer.
    [0023] Gemäß einerweiteren Ausführungsformder vorliegenden Erfindung wird ein Gasgemisch, das eine Ar/O2-Mischung enthält, in die Hauptreaktionskammereingebracht, um in dem Abtragungsschritt verwendet zu werden.
    [0024] Gemäß noch einerweiteren Ausführungsformder vorliegenden Erfindung wird ein Abtragungsschritt durch Einbringeneines Gasgemisches, das Ar/O2 in Kombinationenmit verschiedenen Verhältnissenenthält,zusammen mit einer geeigneten Regelung des Druckes in der Hauptreaktionskammer undder Versorgungsleistungen fürdie Hauptreaktionskammer, ausgeführt.
    [0025] Dievorliegende Erfindung stellt auch ein System zur Ausführung einesRIE-Prozesses bereit. Das System umfasst eine Hauptreaktionskammer,in der wenigstens ein RIE-Schritt für ein Metall und ein Abtragungsschrittdurchgeführtwerden.
    [0026] Gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung umfasst ein System zur Ausführung einesProzesses zum reaktiven Ionenätzeneines Metalls eine Hauptreaktionskammer zur Ausführung eines Schrittes zum Ätzen vonMetall und eines Abtragungsschrittes an einem Wafer, der eine Metallschichtund Photoresiststrukturen auf einer Oberfläche der Metallschicht aufweist,und wenigstens einen Gaseinlass, der an der Hauptreaktionskammerangebracht ist, um reaktive Gase einzu bringen, die für den Schrittdes Ätzensvon Metall und den Abtragungsschritt verwendet werden.
    [0027] Gemäß einerweiteren Ausführungsformder vorliegenden Erfindung umfasst das System weiterhin ein Elektrodenpaar,das aus einer oberen Elektrode und einer unteren Elektrode in Formeiner elektrostatischen Klemmvorrichtung aufgebaut ist. Reaktive Gase,die von wenigstens einem Einlass aus eingebracht werden, passierendas Elektrodenpaar, so dass reaktive Ionen durch das Elektrodenpaarerzeugt werden, um den Wafer, der auf der Plattform liegt, anzugreifen.Währendeines Abtragungsschrittes wird durch eine obere Leistungsversorgungeine erste Leistung an die obere Elektrode angelegt, um eine Ionenkonzentrationan reaktiven Ionen festzulegen, und durch eine Bias-Leistungsversorgungeine zweite Leistung an die untere Elektrode angelegt, um eine Bewegungsrichtungder reaktiven Ionen festzulegen.
    [0028] Die 1A bis 1C sind Querschnittsansichten, die einenProzess des Strukturierens der Al-Schicht zeigen, wobei die 1A und 1B das Strukturieren eines Photoresistsauf der Al-Schicht durch Abscheiden einer Antireflexschicht veranschaulichenund 1C nach einem Al-RIE-Schritt gebildeteAl-Leitungen veranschaulicht.
    [0029] 2 ist eine schematischeDarstellung eines Teils eines Al-RIE-Gerätes.
    [0030] 3 ist ein Flussdiagrammeines Al-RIE-Prozesses.
    [0031] 4 ist ein Flussdiagrammeines Al-RIE-Prozesses gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung.
    [0032] Nachstehendwerden bevorzugte Ausführungsformender vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungenausführlichbeschrieben. Diese Erfindung kann in vielen verschiedenen Formenausgeführtwerden und sollte nicht dahingehend ausgelegt werden, dass sie auf diehierin dargelegten Ausführungsformenbeschränktist.
    [0033] Dievorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und Systemzur Ausführungeines RIE-Prozesses, bei dem die Schritte zum Abtragen der Resistmaterialienund Polymerrückstände zusammenmit einem RIE-Prozess an einem Metall in einer Hauptreaktionskammerdurchgeführtwerden. Die vorliegende Erfindung bezieht sich auch auf ein System,das eine Hauptreaktionskammer, die so gestaltet ist, dass der Schrittzum Abtragen der Resistmaterialien und der Polymerrückstände beidein derselben Kammer durchgeführtwerden, umfasst.
    [0034] 4 ist ein Flussdiagramm,eines Al-RIE-Prozesses gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung. Es wird angemerkt, dass die Schritte 401 bis 403 dieselbenwie die vorher unter Bezugnahme auf 3 beschriebenenSchritte 301 bis 303 sind. Eine Erörterungdieser Schritte wird daher hier unterlassen.
    [0035] Derin dem RIE-Prozess eingesetzte Wafer kann, muss jedoch nicht notwendigerweise,nach dem in den 1A und 1B beschriebenen Verfahren hergestelltwerden. Zum Beispiel ist es nicht erforderlich, ARC 13 aufdie Photoresistschicht 14 auf zubringen, wenn dünne Photoresiststrukturenin einem Photolithographieprozess gebildet werden können. ZumZwecke der Verdeutlichung bezieht sich der hierin beschriebene Waferjedoch auf den, der durch das unter Bezugnahme auf die 1A und 1B dargestellte Verfahren hergestelltworden ist. Das hierin beschriebene Al-RIE-Gerät bezieht sich auch auf das unterBezugnahme auf 2 dargestellte,mit der Ausnahme, dass in der Ausführungsform der vorliegendenErfindung die Reaktionskammer 20 zur Ausführung sowohldes Al-RIE-Schrittes als auch des Abtragungsschrittes verwendetwird. Darüberhinaus kann der in der Reaktionskammer 20 eingesetzte Plasmareaktorvon einem anderen Typ sein als der induktiv gekoppelte Plasmareaktor,zum Beispiel ein traditioneller Plasmareaktor mit parallelen Platten (vomDiodentyp), ein Plasmareaktor fürnegative Ionen, ein Reaktor mit parallelen Platten und rotierendemDipolmagnet (DRM-Reaktor), ein System für chemisches Plasmaätzen (CDE-System)und desgleichen. Auf die äquivalentenBestandteile wird auch mit dem gleichen Bezugszeichen verwiesen.
    [0036] Nachdemsich die Photoresiststrukturen ausgebildet worden sind, wird inSchritt 404 ein Wafer, wie in 2 gezeigt, für ein Aufätzen der ARC und einen Al-RIE-Schrittin eine Al-RIE-Hauptreaktionskammer 20 transferiert.Wie oben beschrieben, kann das Aufätzen der ARC in einer separatenKammer für Plasmaätzen ausgeführt werden.In der beispielhaften Ausführungsformwird der Schritt des Aufätzens derARC in der Hauptreaktionskammer für Al-RIE 20 ausgeführt. DieEinzelheiten des Aufätzender ARCs sind nachstehend beschrieben. Bei den in dem Al-RIE-Schritteingesetzten Gasen kann es sich um beliebige in einem herkömmlichenRIE-Prozess verwendete Gase handeln, wie beispielsweise Cl2/HCl, Cl2/N2, Cl2/BCl3 und dergleichen.
    [0037] Wieoben beschrieben, werden aufgrund der gewählten Ätzgase während und nach dem RIE-ProzessPolymere 19, die organische Materialien aus dem Photoresist 14 undder ARC 13 ("Resistmaterialien") enthalten, sowieChlor- und/oder chlorhaltige Rückstände ausden Ätzgasenauf dem Photoresist und den Seitenwänden der geätzten Metallleitungen ausgebildet.
    [0038] Gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung wird der Wafer nach dem RIE-Schritt nichtin eine zweite Kammer transferiert. Stattdessen verbleibt der Waferin der Hauptreaktionskammer 20.
    [0039] Alsnächsteswerden in Schritt 405 die Gase, die als Verbindungen für die Abtragungverwendet werden, in die Hauptreaktionskammer 20 eingebrachtund der Abtragungsschritt zum Abtragen des Polymers 19 undder Resistmaterialien ausgeführt. DerAbtragungsprozess kann unter Verwendung eines Gasgemisches oderunter Verwendung von Plasma eines Gasgemisches ausgeführt werden.
    [0040] Wieoben unter Bezugnahme auf Schritt 405 beschrieben, findeteine Korrosion der Al-Leitungen statt, wenn chlorhaltige Rückstände mitFeuchtigkeit in der Atmosphärein Berührungkommen. Um diesen Effekt zu vermeiden, wird gemäß einer Ausführungsformder vorliegenden Erfindung der Wassergehalt in der Hauptreaktionskammerso gering wie möglich gehalten.Aus diesem Grund könnengemäß einer Ausführungsformder vorliegenden Erfindung Ladeschleusen verwendet werden. Der Wafermit Photoresiststrukturen kann zuerst in eine Ladeschleuse (nichtgezeigt), die sich an die Hauptreaktionskammer 20 anschließt, transferiertwerden. Der Wafer steht in der Ladeschleuse bereit, während einvorheriger Wafer in der Hauptre aktionskammer 20 bearbeitetwird, und wird dann in die Hauptreaktionskammer transferiert, wennder Al-RIE-Schritt fürden vorherigen Wafer abgeschlossen ist. Um Feuchtigkeit abzuhalten,muss die Ladeschleuse in einem Vakuumzustand gehalten werden. Darüber hinauskann gemäß der vorliegendenErfindung BCl3 als eine der Ätzkomponenteneingesetzt werden, um zur Verminderung der Feuchtigkeit zu beizutragen,da es leicht mit Wasser reagiert. Gemäß einer weiteren Ausführungsform dervorliegenden Erfindung wird der Druck in der Hauptreaktionskammersehr niedrig gehalten, um die Kammer frei von Korrosion verursachendenStoffen zu halten. Zudem könnengemäß einerweiteren Ausführungsformder vorliegenden Erfindung die Abtragungsverbindungen zum Abtragender Resistmaterialien und Polymere 19 eine Ar/O2-Gasmischung in verschiedenen Kombinationendes Verhältnisses umfassen.Mehrere Beispiele von Rezepturen, die zum Abtragen der Resistmaterialienund Polymere 19 gemäß der vorliegendenErfindung verwendet werden, werden nachstehend beschrieben.
    [0041] Bezugnehmend auf 4 wird inSchritt 406, nachdem eine entsprechenden Rezeptur zum Abtragender Resistmaterialien und Polymere wie in Schritt 405 eingesetztwurde, dann in einer separaten Kammer, wie zum Beispiel Kammer 40 in 2, ein Nassreinigungsprozessdurchgeführt,um die Abtragungsmaterialien abzuwaschen. Danach wird in Schritt 407 derWafer zum Beispiel mit Hilfe eines Schleudertrockners getrocknet.Zu diesem Zeitpunkt ist der gesamte Al-RIE-Prozess abgeschlossen.
    [0042] Wiein 4 veranschaulicht,werden beim RIE-Prozess gemäß der vorliegendenErfindung zwei Hauptschritte, der RIE-Schritt und der Abtragungsschritt, inder Hauptreaktionskammer 20 durchgeführt. Auf diese Weise muss derWafer nicht zur Ausführungdes Abtragungsschrittes in eine zweite Kammer transferiert werden.Daher entfallen die Kosten fürdie zweite Kammer. Weiterhin wird der Druck innerhalb der Hauptreaktionskammer 20 sogering wie möglichgehalten, die Möglichkeit,dass der Wafer in einer separaten Kammer (wie zum Beispiel der zweitenKammer 30 in 2)mit Feuchtigkeit in Berührungkommt, kann daher reduziert werden.
    [0043] Gemäß der vorliegendenErfindung werden in einer Hauptreaktionskammer sowohl der Al-RIE-Schrittals auch der Abtragungsschritt durchgeführt. Daher kann ein Al-RIE-Gerät in einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung dem in 2 gezeigtenGerät ähneln, mitder Ausnahme, dass keine zweite Kammer 30 gebraucht wird,da der Al-RIE-Schritt und der Abtragungsschritt in der Hauptreaktionskammer 20 durchgeführt werden.
    [0044] DieHauptreaktionskammer muss so gestaltet werden, dass sie die Durchführung des RIE-Schrittesund des Abtragungsschrittes in einer einzigen Einheit ermöglicht.Separate Gaseinlässe können zurEinbringung von verschiedenen reaktiven Gasen, die zur Ausführung desAl-RIE-Schrittes und des Abtragungsschrittes notwendig sind, genutzt werden.Das System kann auch einen Druckregler zum Regeln des Drucks derHauptreaktionskammer umfassen. Zum Beispiel sind unterschiedlicheDrückezur Ausführungdes Al-RIE-Schrittes und des Abtragungsschrittes erforderlich. DasSystem kann zusätzlichRegler zur Regelung der oberen Versorgungsleistung 217 undder Bias-Versorgungsleistung 219 umfassen.Es sind wiederum unterschiedliche Versorgungsleistungen zur Ausführung des Al-RIE-Schrittes und desAbtragungsschrittes erforderlich. Das System kann auch mehrere Einschübe in derHauptkammer zum Verbinden mit verschiedenen Quellen für reaktiveGase zur Be reitstellung der entsprechenden Gasmischungen umfassen.Die Zuständeder eingebrachten reaktiven Gase, der Druck und die Versorgungsleistungenkönnendurch Software geregelt werden. Die Beispiele für reaktive Gase, Drücke undVersorgungsleistungen werden nachstehend beschrieben.
    [0045] Wiein der vorliegenden Erfindung, wo der Al-RIE-Schritt und der Abtragungsschrittin der Hauptreaktionskammer 20 durchgeführt werden, sind die Verbindungenund Sollwerte (zum Beispiel fürden Druck in der Hauptreaktionskammer 20 und die an dieHauptreaktionskammer 20 angelegte obere Versorgungsleistungund Bias-Versorgungsleistung), die in dem Abtragungsschritt verwendetwerden, verschieden von denen in einer herkömmlichen zweiten Kammer. ZumBeispiel ist die Dichte des Sauerstoffs, die in herkömmlichenseparaten Abtragungskammern verwendet wird, so eingeregelt, dass sieso gering wie möglichist, um ein Reagieren mit den chlorhaltigen Rückständen zu vermeiden. Ruf dieseWeise dauert es länger,die chlorhaltigen Rückstände vollständig zuentfernen. Wenn der Abtragungsschritt gemäß der vorliegenden Erfindungin der Hauptreaktionskammer ausgeführt wird, kann jedoch die Sauerstoffkonzentrationerhöhtwerden, um zu gewährleisten,dass die chlorhaltigen Rückstände vollständig entferntwerden.
    [0046] Darüber hinauskönnendie obere Versorgungsleistung 217 und die Bias-Versorgungsleistung 219 inder Hauptreaktionskammer 20 geregelt werden, so dass eineBestimmung der Konzentration von Ionen und der Energie der Ionen,die auf dem Wafer auftreffen, in dem Gasgemisch für die Abtragungerleichtert wird, um die chlorhaltigen Rückstände vollständig zu entfernen. Daher istder Abtragungsschritt gemäß der vorliegendenErfindung effizienter als der in der herkömmlichen Abtra gungskammer,wie zum Beispiel in einem Reaktor für chemisches Plasmaätzen.
    [0047] Esfolgen mehrere Beispiele, die in der Hauptreaktionskammer 20 zumAbtragen der Resistmaterialien und Polymere gemäß der vorliegenden Erfindungverwendet werden können:
    [0048] Einetypische Rezeptur, die zum Aufätzen derARC verwendet wird, und die in einer zweiten Kammer in dem Al-RIE-Prozessnach dem Stand der Technik verwendet worden ist, kann gemäß einerersten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung auch in der Hauptreaktionskammer zumAbtragen der Resistmaterialien und Rückstände genutzt werden. Durch dasNutzen dieser Rezeptur können40 bis 80 nm an organischer ARC innerhalb von 10 bis 60 Sekundenweggeätztwerden.
    [0049] Dieerste Rezeptur sieht wie folgt aus: Der Druck in der RIE-Reaktionskammer 20 wirdim Bereich von 10 bis 100 mTorr geregelt. Die obere Leistung 217 liegtim Bereich von 100 bis 300 W. Die Biasleistung 219 liegtim Bereich von 100 bis 300 W. Bei dem Gas handelt es sich um eineAr/O2-Mischung, die 30 bis 300 sccm an Arund 3 bis 20 sccm an O2 umfasst.
    [0050] Für Prozessezum Auftragen der ARC ist die Sauerstoffkonzentration gewöhnlich verhältnismäßig gering,um ein seitliches Angreifen an der organischen ARC zu verhindern.Wenn jedoch die Sauerstoffkonzentration sehr gering gehalten wird,dauert es bei Verwendung der gleichen Rezeptur für das Auf ätzen der ARC im Abtragungsschrittlänger,die Polymere vollständigabzulösen.Daher ist es in der zweiten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung, bei der der Abtragungsprozess in derHauptreaktionskammer ohne Transferieren des Wafers in eine zweiteKammer durchgeführtwird, günstig,die Sauerstoffkonzentration entweder durch Erhöhen des Sauerstoffstroms oderdurch Verringern des Ar-Stroms oder durch beides zugleich zu erhöhen, umdas vollständigeAbtragen der Polymere zu gewährleisten.In einigen Fällensollten sogar Bedingungen ohne Argon beim Ätzen zu guten Ergebnissen führen. Daher siehteine modifizierte Gruppe von Parametern für das Ätzen wie folgt aus: DerDruck in der RIE-Reaktionskammer 20 wird im Bereich von10 bis 100 mTorr geregelt. Die obere Leistung 217 liegtim Bereich von 100 bis 300 W. Die Biasleistung 219 liegtim Bereich von 100 bis 300 W. Bei dem Gas handelt es sich um eineAr/O2-Mischung, die 0 bis 300 sccm an Arund 3 bis 300 sccm an O2 umfasst.
    [0051] DasAufätzender ARC wird gewöhnlichbei verhältnismäßig geringemDruck ausgeführt,um gerade Seitenwände(d.h. ein anisotropes Ätzen)zu erhalten. Aus dem gleichen Grund, nämlich, dass der Abtragungsprozessjetzt in der Hauptreaktionskammer statt in einer separaten Kammerdurchgeführt wird,kann der Druck in der Hauptreaktionskammer erhöht werden, da dies auch dieSauerstoffkonzentration erhöht.Daher sieht eine Rezeptur fürin-situ Abtragung mit optimiertem Druckbereich gemäß der drittenAusführungsformder vorliegenden Erfindung wie folgt aus: Der Druck in der RIE-Reaktionskammer 20 wirdim Bereich von 10 bis 500 mTorr geregelt. Die obere Leistung 217 liegtim Bereich von 100 bis 300 W. Die Biasleistung 219 liegtim Bereich von 100 bis 300 W. Bei dem Gas handelt es sich um eine Ar/O2-Mischung, die 0 bis 300 sccm an Ar und3 bis 300 sccm an O2 umfasst.
    [0052] Eineweitere Ausführungsformgemäß der vorliegendenErfindung besteht darin, die Biasleistung zu reduzieren und dieobere Leistung zu erhöhen.Wie oben beschrieben, bestimmt die Biasleistung hauptsächlich dieEnergie der Ionen, die auf den Wafer treffen. Die höhere Biasleistungbestimmt daher die Richtung des Angreifens der Ionen und hilft auchdabei, ein anisotropes Angreifen in dem Ätzschritt zu erzielen. In demAbtragungsschritt muss die Bombardierung mit Ionen jedoch ziemlichgering gehalten werden. Wenn die Bombardierung mit Ionen nach demAl-RIE-Prozess zu stark ist, kann sie zu Beschädigungen der gerade erst gebildetenAl-Leitungen oder sogar des Wafers im Allgemeinen führen. Umdies zu vermeiden, wird nach der vorliegende Erfindung eine geringereBiasleistung oder sogar gar keine Biasleistung an die Hauptreaktionskammer angelegt.
    [0053] Alternativkann es in Fällenmit keiner oder einer sehr geringen Biasleistung günstig sein,die obere Leistung, die hauptsächlichdie Konzentration an Ionen und damit auch die Konzentration an aktivenStoffen im Allgemeinen bestimmt, zu erhöhen. Solange diese Stoffe nichtmit hohen Energien in Richtung des Wafers beschleunigt werden, reduziert einehöhereKonzentration an diesen Stoffen die Abtragungsdauern und hilft auchdabei, widerstandsfähigeRückstände zu entfernen.Alternativ wird es durch die vorliegende Erfindung ermöglicht,die obere und die Biasleistung zur Feinabstimmung der Abtragungsbedingungenseparat einzustellen.
    [0054] DieRezeptur fürdie Abtragung gemäß dieserAusführungsformkann wie folgt aussehen: Der Druck in der RIE-Reaktionskammer 20 wirdim Bereich von 10 bis 500 mTorr geregelt. Die obere Leistung 217 liegtim Bereich von 100 bis 500 W. Die Biasleistung 219 liegtim Bereich von 0 bis 50 W. Bei dem Gas handelt es sich um eine Ar/O2-Mischung, die 0 bis 300 sccm an Ar und3 bis 300 sccm an O2 umfasst.
    [0055] Innoch einer weiteren Ausführungsformder vorliegenden Erfindung könnendie Abtragungsbedingungen verbessert werden, indem die Chemie für die Abtragunggeändertwird. Zum Beispiel kann die Abtragungssubstanz eine Beimengung vonF-haltigen Gasen(wie CF4 oder SF6)umfassen, um den Abtragungsprozess zu verbessern. Die Abtragungssubstanzkann auch H2 oder wasserstoffhaltige Gasewie H2O umfassen. Diese zusätzlichechemische Verbindung dient dazu, die Ergebnisse der Abtragung (d.h. vollständigereEntfernung von allen organischen Rückständen in kürzerer Zeit) weiter zu verbessern.
    [0056] Dementsprechendkann ein Beispiel der Rezeptur fürdie Abtragung wie folgt aussehen: Der Druck in der RIE-Reaktionskammer 20 wirdim Bereich von 10 bis 500 mTorr geregelt. Die obere Leistung 217 liegtim Bereich von 100 bis 500 W. Die Biasleistung liegt im Bereichvon 0 bis 50 W. Bei dem Gas handelt es sich um eine Ar/O2/CF4-Mischung, die 0bis 300 sccm an Ar, 3 bis 300 sccm an O2 und4 bis 100 sccm an CF4 umfasst.
    [0057] Dievorangehende Darstellung der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegendenErfindung ist zum Zwecke der Veranschaulichung und Beschreibungdargelegt worden. Es wird nicht beabsichtigt, vollständig zusein oder die Erfindung durch die im einzelnen beschriebenen Ausgestaltungenzu beschränken.Viele Variationen und Modifikationen der hierin beschriebenen Ausführungsformensind für denDurchschnittsfachmann angesichts der obigen Darlegung ersichtlich.Der Bereich der Erfindung ist nur durch die hierzu angefügten Ansprüche und durchderen Äquivalentebestimmt.
    [0058] Weiterhinkann beim Beschreiben von repräsentativenAusführungsformender vorliegenden Erfindung die Patentschrift das Verfahren und/oderden Prozess der vorliegenden Erfindung als eine bestimmte Reihenfolgevon Schritten dargestellt haben. In dem Maße, in dem das Verfahren und/oderder Prozess nicht auf die bestimmte Folge von Schritten, die hierindargelegt ist, angewiesen ist, sollte das Verfahren oder der Prozessjedoch nicht auf die beschriebene bestimmte Reihenfolge von Schrittenbeschränktwerden. Wie der Durchschnittsfachmann zu würdigen weiß, können andere Reihenfolgen von Schrittenmöglichsein. Daher sollte die bestimmte Folge der Schritte, die in derPatentschrift dargelegt ist, nicht als Beschränkungen der Ansprüche ausgelegtwerden. Darüberhinaus sollten die Ansprüche, dieauf das Verfahren und/oder den Prozess der vorliegenden Erfindungausgerichtet sind, nicht auf die Ausführung ihrer Schritte in derbeschriebenen Reihenfolge beschränktwerden und ein Durchschnittsfachmann kann leicht einschätzen, dassdie Reihenfolgen variiert werden können und dennoch im Sinne undBereich der vorliegenden Erfindung bleiben.
    权利要求:
    Claims (19)
    [1] Verfahren zur Ausführung eines reaktiven Ionenätzprozessesan einem Metall, umfassend: Einbringen eines Halbleiterwafersin eine Hauptreaktionskammer, wobei der Halbleiterwafer eine Metallschichtauf einem Wafersubstrat und ein Photoresist, das die Metallschichtbedeckt, umfasst; reaktives Ionenätzen einer auf einem Halbleiterwafer ausgebildetenMetallschicht in der Hauptreaktionskammer, um durch Wegätzen vonden Teilen der Metallschicht, die nicht mit dem Photoresist bedeckt sind,Metallleitungen auszubilden; und Abtragen des Photoresistsund der währenddes Prozesses des reaktiven Ionenätzens erzeugten Rückstände, während derHalbleiterwafer in der Hauptreaktionskammer gehalten wird.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, wobei eine Gasmischung,die Argon (Ar) und Sauerstoff (O2) enthält, während desSchrittes des Abtragens in die Hauptreaktionskammer eingebrachtwird.
    [3] Verfahren nach Anspruch 2, wobei die GasmischungAr in einer Konzentration im Bereich von 0 bis 300 sccm und O2 in einer Konzentration im Bereich von 3bis 20 sccm umfasst.
    [4] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Druckin der Hauptreaktionskammer währenddes Schrittes des Abtragens im Bereich von 10 bis 100 mTorr eingestelltist.
    [5] Verfahren nach Anspruch 2, wobei die GasmischungAr in einer Konzentration im Bereich von 0 bis 300 sccm und O2 in einer Konzentration im Bereich von 3bis 300 sccm umfasst.
    [6] Verfahren nach Anspruch 5, wobei der Druck in derHauptreaktionskammer währenddes Schrittes des Abtragens im Bereich von 10 bis 500 mTorr gehaltenwird.
    [7] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei eine obereLeistung und eine Biasleistung, die während des Abtragungsschrittesan die Hauptreaktionskammer angelegt werden, zwischen 100 und 300W liegen.
    [8] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei eine obereLeistung und eine Biasleistung, die während des Abtragungsschritteszur Hauptreaktionskammer angelegt werden, zwischen 100 und 500 Wbeziehungsweise zwischen 0 und 50 W liegen.
    [9] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, das weiterhin3 bis 300 sccm eines CF4-Gases umfasst.
    [10] System zur Ausführungeines reaktiven Ionenätzprozessesan einem Metall, umfassend: eine Hauptreaktionskammer zur Ausführung eines Schrittesdes Ätzensvon Metall und eines Schrittes des Abtragens an einem Wafer, dereine Metallschicht und Photo resiststrukturen auf einer Oberfläche derMetallschicht aufweist; und wenigstens einen Gaseinlass ander Hauptreaktionskammer, der dafür vorgesehen ist, eine erste Gruppevon reaktiven Gasen, die fürden Schritt des Ätzensvon Metall verwendet werden, und eine zweite Gruppe von reaktivenGasen, die fürden Schritt des Abtragens verwendet werden, einzubringen.
    [11] System nach Anspruch 10, wobei die durch den wenigstenseinen Einlass eingebrachten reaktiven Gase mit Hilfe eines Elektrodenpaarsin der Hauptreaktionskammer behandelt werden, um ein Plasma dazwischenauszubilden, und die reaktiven Ionen des Plasmas mit den Teilender Metallschicht, die nicht mit den Photoresiststrukturen bedecktsind, reagieren.
    [12] System nach Anspruch 11, wobei das Elektrodenpaareine obere Elektrode und eine untere Elektrode umfasst, und wobeiwährenddes Schrittes des Abtragens durch eine obere Leitungsversorgung eineerste Leistung an die obere Elektrode angelegt wird, um eine Konzentrationan Ionen an reaktiven Ionen festzulegen, und durch eine Bias-Leistungsversorgungeine zweite Leistung an die untere Elektrode angelegt wird, um eineBewegungsrichtung der reaktiven Ionen festzulegen.
    [13] System nach einem der Ansprüche 10 bis 12, weiterhin umfassend: einenDruckregler zur Einstellung unterschiedlicher Drücke in der Hauptreaktionskammer,basierend auf den reaktiven Gasen, die für das Ätzen von Metall und den Schrittdes Abtragens verwendeten werden.
    [14] Verfahren zum Abtragen von Rückständen nach einem reaktiven Ionenätzprozessvon einem Metall in einer Hauptreaktionskammer, wobei die Rückstände durchden reaktiven Ionenätzprozess voneinem Metall gebildete Nebenprodukte sind, die auf den Metallleitungenverbleiben, umfassend: Einstellen eines Druckes in der Hauptreaktionskammer; Einstelleneiner oberen Leistung und einer Biasleistung, die an die Hauptreaktionskammerangelegt werden; und Einsetzen von Gasmischungen in der Hauptreaktionskammer,die mit den Rückständen reagieren, wobeider Druck, die obere Leistung und die Biasleistung so eingestelltsind, dass die Gasmischungen mit den Rückständen reagieren, um die Rückstände abzutragen,ohne mit den Metallleitungen zu reagieren, und wobei der reaktiveIonenätzprozessan einem Metall auch in der Hauptreaktionskammer ausgeführt wird.
    [15] Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Druck in derHauptreaktionskammer im Bereich von 10 bis 100 mTorr gehalten wird.
    [16] Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, wobei die obereLeistung und die Biasleistung, die an die Hauptkammer angelegt werden,zwischen 100 und 300 W liegen.
    [17] Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei die GasmischungAr in einer Konzentration im Bereich von 0 bis 300 sccm und O2 in einer Konzentration im Bereich von 3bis 300 sccm umfasst.
    [18] Verfahren nach Anspruch 17, wobei der Druck in derHauptreaktionskammer im Bereich von 10 bis 500 mTorr gehalten wird.
    [19] Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 18, das weiterhin3 bis 300 sccm eines CF4-Gases umfasst.
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    US20040203242A1|2004-10-14|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2004-11-25| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2007-02-15| 8139| Disposal/non-payment of the annual fee|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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